電位計算
ラプラス方程式 Δψ＝０を有限体積法で計算し、電位分布、電流密度分布を求めます。
境界条件
アノードおよびカソードの分極曲線を境界条件として計算することにより電極反応特性を考慮した2次電流分布の計算が可能です。分極曲線モデルは、ターフェル型曲線、バトラーフォルマー型曲線、テーブルデータの取り扱いが可能です。
メッシュ生成
八分木法の採用により、メッシュ生成を意識せずに計算条件設定が可能です（ アノード 、カソード、めっき層などの要素毎に格子レベルを設定）。
計算条件設定例（Cuめっき）
膜抵抗（シード抵抗）の考慮
カソード（シード膜や基板）の電気伝導度を設定することにより、膜抵抗を考慮した計算が可能です。
めっき膜厚の時間発展計算
各メッシュの充填率の移動計算を行うことにより、めっき膜厚の時間発展の計算が可能です。
物質輸送解析（オプション）
個別パターン近傍の領域における電位分布と拡散層における活性種の濃度分布を計算する機能です。イオンや添加剤などの活性種の物質移動が支配的なダマシンプロセス、フィリングめっき、TSV（Through Silicon Via）めっきなどの現象解明を支援します。
- 機能1.形状作成機能
- 機能2.解析機能
- 機能3.解析結果表示機能